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    晶體硅太陽能電池漿料背面鋁漿

    產品用途 背面鋁漿產品主要應用于晶體硅太陽能電池背電場

    產品性能

    l 與晶體硅片有著良好的熱膨脹匹配性;

    l 具有優異的印刷性能;

    l 具有表面細膩潤滑、附著力強、彎曲度小和轉換效率高等優點;

    l 通過絲網印刷和燒結,能形成良好的BSF層,大大提高開路電壓。

    性能參數

    檢測方法

    SA139C

    SA151A

    SA155A

    外觀

    目測

    細膩潤滑

    細膩潤滑

    細膩潤滑

    細度(μm

    刮板細度計

    20.0

    20.0

    20.0

    粘度

    Pa·s

    Brookfield 粘度計 RVDC-C,25

    40±10.0

    40±10.0

    40±10.0

    固含量

    %

    高溫爐 400,30min

    75.0±5.0

    75.0±5.0

    75.0±5.0

    干燥膜厚

    μm

    KYKY-3200

    掃描電鏡

    30.0±5.0

    30.0±5.0

    30.0±5.0

    燒結膜厚

    μm

    KYKY-3200

    掃描電鏡

    20.0±5.0

    20.0±5.0

    20.0±5.0

    燒后方阻

    mΩ/□

    方阻儀 DMR-1C,25

    15

    15

    15

    附著力

    單面EVA

    電池片轉換效率

    效率測試儀

    單晶硅,平均轉換效率≥18.4%

    多晶硅,平均轉換效率≥16.8%

    主要特點

    綜合性能好

    高轉換效率

    低翹曲

    印刷工藝

    l 漿料攪拌:每罐漿料充分攪拌3~6h;

    l 絲網參數:250目,感光膜厚度10μm,線徑30μm,張力30N;

    l 印刷參數:網版間距:1.1-1.6mm,印刷壓力70-85N,印刷速度250-300mm/s。

    客戶印刷耗量反饋

    單晶片125*125

    漿料型號

    平均耗量

    漿料型號

    平均耗量

    參考

    0.90g

    參考

    0.83g

    SA139C

    0.85g

    SA155A

    0.78g

    多晶片156*156

    漿料型號

    平均耗量

    漿料型號

    平均耗量

    參考

    1.385g

    參考

    1.360g

    SA139C

    1.380g

    SA155A

    1.350g

    燒結工藝

    燒結工藝窗口較寬,最高燒結溫度可以設置在850-940之間,以下推薦兩套燒結工藝,以Despatch燒結爐為參考。

    單晶125*125的燒結工藝:

    1 單晶125*125燒結工藝圖

    燒結設置溫度(℃)

    250

    240

    220

    625

    635

    680

    700

    775

    895

    實際溫度(℃):

    240

    230

    215

    515

    530

    570

    590

    655

    770

    Despatch燒結爐,其他燒結爐工藝略有不同,僅供參考)

    多晶156*156的燒結工藝如下圖:

    2 多晶156*156燒結工藝圖

    燒結設置溫度(℃)

    255

    255

    240

    630

    640

    685

    705

    785

    905

    實際溫度(℃):

    245

    240

    230

    520

    535

    575

    595

    660

    775

    Despatch燒結爐,其他燒結爐工藝略有不同,僅供參考)

    干燥膜厚 燒結膜厚

    3 背鋁漿干燥和燒結膜厚

     
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